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亟需進(jìn)一步制定新規(guī)劃，推動(dòng)未來(lái)全市集成電路產(chǎn)業(yè)再次實(shí)現(xiàn)從量變到質(zhì)變的突破?！傲?zhēng)通過(guò)5年左右的努力，將集成電路打造成為繼新型顯示產(chǎn)業(yè)后，又一個(gè)提升合肥競(jìng)爭(zhēng)力的核心產(chǎn)業(yè)?！笔邪l(fā)改委的負(fù)責(zé)人表示。

規(guī)劃建議合肥積極融入國(guó)家集成電路發(fā)展戰(zhàn)略，力爭(zhēng)經(jīng)過(guò)新一輪的發(fā)展，將合肥打造成為中國(guó)集成電路集聚區(qū)、世界集成電路產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移承接區(qū)。

合肥市發(fā)改委的負(fù)責(zé)人介紹，為實(shí)現(xiàn)規(guī)劃將采取分步走策略，前三年成立產(chǎn)業(yè)基金、深耕制造/設(shè)計(jì)/封測(cè)/材料裝備產(chǎn)業(yè)方向，連點(diǎn)成線(xiàn)形成重點(diǎn)突破；后兩年產(chǎn)業(yè)協(xié)同發(fā)展，連線(xiàn)成面形成布局。

一、BSP75NTA升降壓芯片的特性

? 60V自保低壓智能MOSFET開(kāi)關(guān)

? 連續(xù)漏源極電壓：VDS=60V

? 狀態(tài)阻力：500米?

? 最大額定負(fù)載電流（VIN=5V）：1.1A

? 最小額定負(fù)載電流（VIN=5V）：0.7A

? 夾緊能量：550m

二、MP2456GJ-Z升降壓芯片的特性

0.5A, 50V, 1.2MHz 降壓變換器，采用 TSOT23-6 封裝。